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[IBS 보도자료] 그래핀을 대체할 차세대 2차원 반도체 나노재료 성장법 개발

2014-01-151,669


대면적 및 원하는 기하학적 형태 제작…안게반테 케미 표지 장식

 

 

국제과학비즈니스벨트 핵심 기관인 기초과학연구원(원장 오세정·IBS) 「원자제어저차원전자계연구단」(단장 염한웅, POSTECH 물리학과 교수)의 최희철 부단장 겸 그룹리더 (POSTECH 화학과 교수) 연구진은 금 촉매를 이용하여 그래핀을 대체할 차세대 반도체 소재로 각광받고 있는 2차원 이황화몰리브덴(MoS2)을 처음으로 대면적 및 원하는 기하학적 형태로 제작이 가능한 반응법을 개발했다고 13일 밝혔다.

 

금 촉매를 이용하여 ‘2차원 이황화몰리브덴’을 선택적으로 균일하게 합성한 이번 연구는 세계 최초로 2차원 이황화몰리브덴을 원하는 크기와 기하학적 형태로 균일하게 합성하고 이를 반도체 소자로 제작할 수 있음을 규명했다.

이번 연구 결과를 통해, 2차원 이황화몰리브덴을 향후 굴절·투명 전자 소자와 같은 차세대 반도체 산업으로의 적용이 예상된다.

2차원 이황화몰리브덴은 반도체성 층상 재료(layered material)로서, 그래핀과 구조적으로 유사하나 전도체인 그래핀과는 달리 반도체성을 지녀 태양전지, 저전력 트랜지스터, 플렉시블 디스플레이, 투명 전자소자 등 그 응용처가 매우 넓을 것으로 기대된다.

 


 

연구진은 기존의 단순 증착과는 달리, 금과의 표면합금 형성이라는 새로운 방법을 개발했다.

, 금 표면 위에 몰리브덴이 포함된 화합물을 주입하면 몰리브덴 원자가 분리되어 금과 섞여 이른바 표면합금(surface alloy)이라 불리는 원자 수준으로 얇고 균일한 합금이 생기는데, 이에 황화수소를 차례로 주입하면 그 중 몰리브덴만 선택적으로 반응하여 원자 수준으로 얇은 2차원 이황화몰리브덴을 합성·분리해 냈다.

또 이는 금 위에서만 선택적으로 일어나는 반응이므로 금 박막을 원하는 기하학적 형태로 증착하면 그에 맞추어 이황화몰리브덴 또한 그 크기와 형태를 지니고서 성장함을 규명했다.

<그림 1>

이번 연구성과는 14일 화학 분야의 권위 학술지인 「안게반테 케미(Angewande Chemie)」 온라인에 게재*됐으며 또한 그 우수성을 인정받아 1월호 표지 논문(Inside Back Cover)으로 게재될 예정이다.

<그림 2>

* 논문제목 : ‘금 촉매 기반 화학기상증착법으로 성장한, 패턴 가능한 대면적 이황화몰리브덴 2차원 원자층’(Patternable Large-Scale MoS2 Atomic 2D Layers Grown by Au-Assisted Chemical Vapor Deposition**), 1저자 POSTECH 송인택, 교신저자 : IBS 원자제어저차원전자계 연구단 최희철 그룹리더.

 

최희철 부단장은 “이번 연구 결과로 표면합금이라는 새로운 방법을 통해 기존의 성장방법이 이루지 못 했던 패턴화 성장을 처음으로 이뤘으며, 이는 기존 실리콘 기반 반도체를 대체할 차세대 원천 소재의 합성방법을 개발하였다는 점에서 중요한 의미를 지닌다”고 말했다.

 

본 연구의 일부는미공군과학연구실과의 국가간 합의사업과 제1저자인 송인택 군이 지원 받는글로벌박사펠로우십 프로그램의 지원을 받았다.